Name: Infineon Technologies BSC12DN20NS3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC12DN20NS3 G
Price: 0.54 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (284 reviews)

Infineon Technologies BSC12DN20NS3 G

Artikelnummer:

BSC12DN20NS3 G

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

BSC12DN20NS3 G Infineon Technologies

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Spezifikationen
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Verpackung

~~Infineon Technologies BSC12DN20NS3 G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSC12DN20NS3 G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TDSON-8
Serie	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 5.7A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11.3A (Tc)
BSC12DN20NS3 G Einzelheiten PDF [English]	BSC12DN20NS3 G PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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